삼성전자가 엔비디아 GTC 2026에서 차세대 고대역폭메모리(HBM4E)를 업계 최초로 공개했다. 이번 제품은 10나노급 6세대 D램 공정과 4나노미터 파운드리└반도체 위탁생산 공정을 결합한 것으로, 메모리 반도체 역사에서 중요한 이정표를 나타낸다. HBM4E의 핵심 특징은 삼성 파운드리의 4나노 공정을 베이스 다이 설계에 직접 적용했다는 점이다. 이를 통해 핀당 16기가비트의 속도와 초당 4.0테라바이트의 압도적 대역폭을 구현했다.

삼성은 또한 차세대 패키징└칩을 보호하고 연결하는 작업 기술인 하이브리드 코퍼 본딩(HCB)을 선보였다. 이 기술은 칩과 칩을 범프(돌기) 없이 직접 접합하는 방식으로, 칩 두께를 얇게 하고 칩 간 거리를 줄여 데이터 교환 속도를 획기적으로 높일 수 있다. 동시에 전력 효율성└에너지 사용 효율을 개선하며 기존 방식보다 열 저항을 20% 이상 개선해 엔비디아의 까다로운 열 관리 기준을 충족했다는 평가를 받고 있다.